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INFINEON Technologies AG Neubiberg

GaN-HEMTs vs. Silizium-MOSFETs

Wie viel besser ist GaN wirklich?

Wie viel besser sind GaN-HEMTs als Silizium-MOSFETs? Diese Frage soll quantitativ am Beispiel von Netzteilen für Server und Mobilfunk-Basisstationen beantwortet werden. Hier zeigt sich auch, dass es auf die geschickte Wahl der Topologien,…

Rückblick auf über 30 Jahre Forschung

»Eine gewisse Portion Sturheit kann sehr hilfreich sein«

Dr. Hans-Joachim Schulze, Senior Principal in der Entwicklung bei Infineon Technologies,…

Analog Devices, Arrow und Knowtion

Offene Plattform bringt Maschine Learning in die Edge

Analog Devices, Arrow und Knowtion haben die offene, lernfähige Embedded-Plattform iCOMOX…

MOSFETs und IGBTs

Ende der Achterbahnfahrt

Wie eine aktuelle Umfrage der Markt&Technik bei führenden Herstellern ergab, hat sich die…

Der Halbleitermarkt wird nicht wachsen

Die Erwartungen waren schlichtweg zu hoch

Ende November 2018 prognostizierte der WSTS für dieses Jahr einen Umsatzzuwachs von 2,6…

Wide Bandgap Semiconductors

How JC-70 Develops Standards for GaN and SiC

Tim McDonald is not only Senior Consulting Advisor for CoolGaN at Infineon, but also…

Wide-Bandgap-Halbleiter

Wie JC-70 an Standards für GaN und SiC arbeitet

Tim McDonald ist nicht nur Senior Consulting Advisor für CoolGaN bei Infineon, sondern…

APEC 2019

Interview of CEOs of Power Integrations, Navitas and GaN Systems

The Applied Power Electronics Conference, the world's largest and most important…

APEC 2019

CEOs von Power Integrations, Navitas und GaN Systems im Interview

Vom 17. – 21. März 2019 fand im kalifornischen Anaheim die Applied Power Electronics…

Schwache Endmärkte

Infineon senkt Geschäftsausblick

Angesichts weltwirtschaftlicher Unsicherheiten und schwächerer Nachfrage senkt Infineon…