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EPC Efficient Power

2. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Vorschau auf das Programm!

Wie soll sich der Anwender in dem »Dschungel« aus MOSFET, IGBT & Co. zurechtfinden und den für seine Anwendung passenden Leistungshalbleiter identifizieren? Am 7. und 8. November veranstalten wir in München das zweite Anwenderforum…

Energy efficiency

Strong global demand for power semiconductors

Power semiconductors were once a niche market. Global megatrends, which require extremely…

Alex Lidow, Efficient Power Conversion

»Wir können Silizium-MOSFETs nun direkt attackieren!«

Vor 40 Jahren entwickelte Alex Lidow den Leistungs-MOSFET für International Rectifier. Als…

2. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Dr. Gerald Deboy und Dr. Alex Lidow halten die Keynotes

Nach dem großen Erfolg im letzten Jahr setzt das zweite Anwenderforum Leistungshalbleiter…

Interview with Alex Lidow

“Now we can attack silicon MOSFETs directly!”

Alex Lidow co-invented the silicon power MOSFET 40 years ago at International Rectifier.…

GaN-Pionier EPC

»Jetzt können wir Low-Voltage-MOSFETs direkt attackieren«

Dr. Alex Lidow, der Erfinder des Trench-MOSFET, hat sich mit der Gründung des GaN-Pioniers…

Kommentar

Das Bessere ist nun mal der Feind des Guten

Dr. Alex Lidow hat zweimal die Welt der Leistungselektronik revolutioniert. Mit GaN on…

Wide-Band-Gap-Materialien / PCIM

SiC und GaN attackieren, Silizium wehrt sich

Einmal mehr stand die diesjährige PCIM im Nürnberg im Zeichen der immer zahlreicher…

Rückblick APEC 2018

Integration auf mehreren Ebenen

Neben den passiven Bauelementen standen auf der APEC im texanischen San Antonio diesmal…

APEC 2018 / Seminar

GaN-Bauteile richtig einsetzen

Auf der APEC hat der GaN-Pionier EPC ein Seminar zum Thema »Maximieren der Performance von…