Elektronik

Siliziumkarbid-MOSFETs

Infineon präsentiert verbesserte CoolSiC-Technologie

Mit dem M1H hat Infineon einen Siliziumkarbid-MOSFET-Chip für 1200 V vorgestellt, der ein größeres Betriebsfenster für die Gate-Spannung aufweist. Dadurch sinkt der On-Widerstand bei gegebener Chipgröße, und es macht ihn robuster gegenüber Spannungsspitzen am Gate.

Schaltungen für isolierte Strommessungen

Den richtigen Trennverstärker auswählen

Um Messsignale zuverlässig über eine Isolationsbarriere zu übertragen, eignen sich...

embedded world 2022

Endspurt für »Early Birds«

Für die embedded world Conference und electronic displays Conference naht das Ende des...

Open Source Software

Weniger Schwachstellen und Risiken, aber selten aktuell

In einer Studie hat Synopsys 2.409 kommerzielle und proprietäre Codebasen analysiert....

Verbundprojekt »ZwillE«

Mit KI und digitalem Zwilling gegen Extremwetter

Eine digitale Simulation des Entwässerungssystems von Hannover soll dabei helfen,...

Hochempfindliche Nanosensoren

Luftschadstoffe besser überwachen

Innovative Sensorik soll ein kontinuierliches Monitoring freier Radikale in der...

Manipulation des Mikrocontroller-SPI

AD-Umsetzer mit Nicht-Standard-SPI einsetzen

Damit ein Mikrocontroller mit einem AD-Umsetzer, der keine serielle...

Neues beim IIoT-Gerätedesign umsetzen

Auf die Embedded-Schnittstellen kommt es an

Das IIoT stellt neue Anforderungen an Embedded-Schnittstellen in industriellen...

Veranstaltungen

Fachmessen – Geht das nicht auch online?

Wozu noch Messen? Angesichts der hohen Kosten werden sie besonders in den USA infrage...

Kombination aus Moryx und Proficloud.io

Digitale Fabrik dank passender Werkzeuge

Im Blick auf die Digitalisierung von Fabriken verwenden IT-Experten seit ein paar...