Vorteile moderner SMD-Gehäuse, Bilder 2-5
21. Oktober 2019, 4 Bilder
Bild 5. Vergleich des Schaltverhaltens von 40-mΩ-1200-V-SiC-MOSFETs (TO-247: SCT3040KL, TO-263-7L: SCT3040KW, 800 V, ca. 110 A).