Leistungshalbleiter-ICs

Leistungshalbleiter

Infineon verbaut SiC-Dioden in 650-V-IGBTs

Als Brücke zwischen reinen Siliziumlösungen und hochleistungsfähigen SiC-MOSFET-Designs hat Infineon nun CoolSiC-Hybrid-IGBTs für 650 V Sperrspannung vorgestellt. Im Vergleich zu einer Standardlösung mit Silizium-Diode soll dies die Energieverluste…

Vishay / Siliziumkarbid

SiC-Dioden für 650 V im Merged-PIN-Schottky-Design

SiC-Dioden mit Nennströmen von 4 A bis 40 A hat Vishay Intertechnology präsentiert. Mit…

Stromversorgung und Leistungselektronik

Mit Power ins neue Jahr!

Die Themenwelt »Power« präsentiert exklusive Inhalte rund um Stromversorgung &…

MOSFET-Gate-Treiber von Infineon

Leistungsstarker Low-Side-Treiber mit Wärmeleitpad

Um einen zweikanaligen, für bis zu 24 V ausgelegten Low-Side-Gate-Treiber mit integriertem…

Siliziumkarbid / Power-Module

Cree stellt SiC-Modul-Plattform WolfPACK vor

Mit WolfPACK möchte Cree die Portfoliolücke zwischen diskreten SiC-MOSFETs und…

Galliumnitrid-Halbleiter

Weniger Defekte in GaN-Kristallen

Üblicherweise werden GaN-Kristalle aus der Dampfphase per MOCVD abgeschieden. Doch die…

Transphorm / Galliumnitrid

SuperGaN-FETs sind besser als SiC-MOSFETs

SuperGaN heißt die fünfte Bauteilgeneration von Transphorm. Der On-Widerstand liegt bei 15…

GaN-Leistungshalbleiter charakterisieren

Herausforderung GaN-FET-Test

Die dynamische Charakterisierung von Leistungshalbleitern mit großer Bandlücke ist eine…

Megatrends bei Leistungshalbleitern

»Die Zukunft ist elektrisch und gehört SiC und GaN«

Der Wandel von Silizium zu Siliziumcarbid wird sich im Automobil- und Automotive-Bereich…

Neuartige Leistungshalbleiter

Siliziumtransistoren mit der Performance von SiC und GaN

Hinter Bizen (Bipolar/Zener) verbirgt sich eine neuartige Prozesstechnologie für…