Produkt

»IoT is driven by Memory«

Micron zeigt umfassendes NAND- und NOR-Flash-MCP-Portfolio

»IoT is driven by Memory« sagt Jeff Bader selbstbewusst, Vice President Embedded BU bei Micron Technology, das Internet of Things benötige jedenfalls »große Mengen an Speicherbausteinen«.

Samsung startet Massenfertigung

64-GByte-DRAM-Module in 3D-Technik

Samsung hat mit der Massenproduktion der industrieweit ersten 64-GB-DDR4-Module begonnen,…

Speichermedien für industrielle Umgebungen

Hart, aber hart genug?

Millionenfach sind sie rund um den Globus zu finden: mobile Speichermedien wie CF- und…

Speicherbausteine

8 Gbit auf einem DRAM-Chip

I’M Intelligent Memory, ein in Hong Kong ansässiges Fabless-Unternehmen für DRAM-Chips,…

Hardware

Flash-Speicher und seine Haltbarkeit

Solid State Drives mit Flash-Speicher haben die rotierenden Massenspeicher in…

Mobilgeräte

Speicherlösungen profitieren von MEMS-Oszillatoren

An Flash-Speicher für mobile Systeme werden erhebliche Anforderungen hinsichtlich Größe,…

STMicroelectronics

Schnellere und einfachere eingebettete Speicher in FD-SOI

Die »Algorithmic Memory Technology« von Memoir Systems für eingebettete Speicher in ASICs…

Vertriebsabkommen

Mouser und Swissbit kooperieren

Mouser Electronics hat ein weltweites Abkommen für den Vertrieb von DRAM- und…

University of California

Resistiver Speicher für die portable Elektronik der Zukunft

Terabyte könnte die übliche Maßeinheit von Speichern in der nächsten Generation von…

Deutsch-Taiwanische Zusammenarbeit

SDRAM-Verknappung im Sub-Gigabit-Produktsegment

Ineltek GmbH vertreibt die Speicherbausteine der taiwanischen Zentel Electronics…