Produkt

Nichtflüchtige Speicher

AF-MERAM als MRAM-Alternative

Forschern aus Dresden und Basel gelingt Durchbruch

Forschern vom Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf und der Universität Basel gelingt Durchbruch bei nichtflüchtigem MERAM. Ein funktionsfähiger Prototyp auf Basis Chromoxid kommt bei magnetischen Speichern ohne die bislang nötige Cobaltschicht aus.

Everspin

1-GBit-MRAMs für den Mainstream

Die neuste MRAM-Generation kann nun endlich in den Mainstram-Markt vordringen. Marktführer…

NRAMs von Nantero

Die nichtflüchtige Speicherrevolution kommt!

Die Carbone-Nanotube-Technik, die Nantero entwickelt hat, wird laut BCC Research den…

MRAM-Alternative

Energiediät für Arbeitsspeicher

Flüchtige Arbeitsspeicher brauchen viel Energie, damit ihre Inhalte erhalten bleiben. Die…

Kommentar

Nur nicht verunsichern lassen – frischer Mut für 2017!

Gut zu den Festen gespeist, kräftig gefeiert – jetzt fragt sich der Mensch ernüchtert: Was…

Toshiba

eMMC-NAND-Speicher für Instrumenten-Cluster

Toshiba hat eMMC-NAND-Flash-Speicher auf den Markt gebracht, die mit JEDEC/MMCA Version…

Deutsche Bank/WSTS

Der Halbleitermarkt 2017 wächst!

Die Chips legen 2017 um 5 Prozent zu! Oder werden es nur 3 Prozent?

ZVEI zu chinesischen Übernahmen

»Wir müssen für fairen Wettbewerb sorgen!«

Chinesische Firmen kaufen aggressiv ausländische Halbeiterunternehmen auf, um sich…

IEDM 2016

STT-MRAM ist doch skalierbar

In diesem Jahr gab es erstmals eine Poser-Session, die ausschließlich dem Thema »MRAM«…

IEDM 2016

Speicher: Evolution und Revolution

Zukünftige Anwendungen bringen riesige Datenmengen mit sich und erfordern höchste…