Produkt

Kooperation mit CEA Leti

STMicroelectronics startet GaN-on-Si-Aktivität

STMicroelectronics und das Forschungsinstitut Leti wollen gemeinsam GaN-on-Si-Technologien für Leistungshalbleiter industrialisieren. Die vom IRT-Nanoelec-Programm profitierende Prozesstechnologie wird von einer Forschungslinie bei Leti auf eine…

Reaktion auf Kundennachfrage

Spezialfoundry X-FAB verdoppelt 6-Zoll-SiC-Kapazität

X-FAB Silicon Foundries hat beschlossen, seine Produktionskapazitäten für…

Response to Customer Demand

X-FAB Doubles 6-Inch SiC Foundry Capacity

X-FAB Silicon Foundries today announced plans to double their 6-inch Silicon Carbide…

Audiotechnik

19 Mikrofone in einer Kugel

Statt für jedem Musiker und Sänger ein Mikrofon zu installieren, soll ein…

MEMS Microphone

Infineon Enables Portable High-End Recording Studio

A 69dB SNR digital MEMS microphone from Infineon is the basis of the Zylia ZM-1 microphone…

III-V-Verbindungshalbleiter

Chinesische Foundry Sanan IC expandiert auf den Weltmarkt

Mit seiner III-V-Technologieplattform steigt Sanan IC in den amerikanischen, europäischen…

Karlsruhe Institute of Technology KIT

Single-Atom Transistor Operates in a Solid Electrolyte

Unlike previous works, the single-atom transistor developed by a team at the KIT led by…

Karlsruher Institut für Technologie KIT

Einzelatom-Transistor schaltet in festem Elektrolyten

Anders als bislang arbeitet der Einzelatom-Transistor, den ein Team am KIT um Professor…

Paul Scherrer Institut PSI

Mit Röntgenstrahlen GaN-HEMTs besser verstehen

GaN-HEMTs bieten erhebliche Vorteile gegenüber heutigen HF-Transistoren. Dennoch bleiben…

Paul Scherrer Institute PSI

With X-Rays to a Better Understanding of GaN HEMTs

GaN HEMTs offer considerable advantages over present-day RF transistors. Yet many…