Produkt

MEMS- und Halbleitersensoren

Novel Power Semiconductor Material

Is Scandium Aluminum Nitride better as GaN?

Scientists of different German universities and research institutes have joined forces in order to explore scandium aluminum nitride (ScAlN). This new material structure may be better suited for future power electronics as gallium nitride (GaN).

Rajesh Vashist, CEO of SiTime

»5G will be a Game Changer for MEMS Oscillators«

Still the vast majority of all timing solutions are quartz-based. A company that is…

Friedrich-Alexander-Universität

Defekte in SiC-MOSFETs genauer, schneller und einfacher finden

An der Grenzfläche zwischen Siliziumkarbid und dem Gate-Oxid entstehen bei der Herstellung…

Technologie-Offensive

Erster MEMS-Ultraschall-ToF-Sensor

TDK hat den weltweit ersten MEMS-Ultraschall-ToF-Sensor für die millimetergenaue…

Optimierter Herstellungsprozess

Chips mit thermoelektrischer Kühlung

Wissenschaftler des Leibniz-Instituts für Festkörper- und Werkstoffforschung (IFW) haben…

MEMS-basierte Drucksensoren

Die Macht der Integration

MEMS-basierte Drucksensoren tauchten erstmals Ende der 1980er Jahre auf dem Massenmarkt…

Technical University Darmstadt

Particle Accelerator on a Microchip

Electrical engineers at TU Darmstadt have developed a laser-driven electron accelerator…

TU Darmstadt

Teilchenbeschleuniger auf einem Mikrochip

Elektrotechniker der TU Darmstadt haben einen lasergetriebenen Elektronenbeschleuniger…

SiTime-CEO im Interview

»Wir verändern die Welt des Timing fundamental!« 

Mit der ausschließlichen Fokussierung auf die Entwicklung von MEMS-basierten…

MEMS-Oszillatoren

5G erfordert präzise Taktgeber

Der Mobilfunkstandard 5G wird die Möglichkeiten für das Internet der Dinge erheblich…