Produkt

Leistungsmodule

Leistungsschub für 5G

Schnellere GaN-HEMTs

Elektronen in GaN-HEMTs bevorzugen eine bestimmte Fließrichtung. Diese Erkenntnis von Forschern des Paul-Scherrer-Institus lässt sich technisch nutzen – zum Beispiel für 5G-Anwendungen.

Power-SiC-Markt wächst zweistellig

SiC-Transistoren werden die Wachstumstreiber

Der Umsatz mit SiC-Transistoren wächst zwischen 2017 und 2023 mit durchschnittlich 50…

Gregg Lowe, CEO of Cree and Wolfspeed

“Wolfspeed is no more our Ugly Duckling”

Wolfspeed is the smallest segment of Cree, dominated by its bigger brothers, lighting and…

Gregg Lowe, CEO von Cree und Wolfspeed

»Wolfspeed ist nicht mehr unser hässliches Entlein«

Wolfspeed ist der kleinste Teil von Cree, dominiert von den größeren Brüdern Beleuchtung…

Bruchfestes Metall-Keramik-Substrat

Für Leistungselektronik-Anwendungen im Elektroauto

Das neueste Produkt von Heraeus ist das Metall-Keramik-Substrat Condura.prime. Das…

Interview with Aly Mashaly

Rohm provides local support for Europe for Silicon Carbide

Rohm Semiconductor has opened its Power Lab in Willich for analyzing power electronics.…

LFPAK56-MOSFETs von Nexperia

Luft- und Kriechstrecken erfüllen UL 2595

Nexperia bietet zwei seiner im LFPAK56-Gehäuse untergebrachten MOSFETs nun in einer…

Rohm und GaN Systems

Strategische Partnerschaft

Rohm und GaN Systems entwickeln im Rahmen einer strategischen Partnerschaft gemeinsam…

PCIM Europe 2018

Rekordergebnis bei Aussteller- und Besucherzahl

Die PCIM Europe hat erneut mit Rekordergebnis abgeschlossen. Erstmals waren mehr als 500…

Mitsubishi Electric

Neues MISOP-Leistungsmodul für platzsparende Umrichter

Mitsubishi kündigt ein neues MISOP-IPM an, das die Implementierung kompakter und einfach…