Produkt

Leistungsmodule

Neue 1200-V-IGBT-Generation von Infineon

Erster Trenchstop-IGBT auf 300-mm-Wafer

Mit dem Trenchstop IGBT6 bringt Infineon eine neue 1200-V-IGBT-Generation auf den Markt. Als erster diskreter IGBT wird das Bauteil mit Diode auf einem 300-mm-Wafer produziert.

PCIM Europe 2019

Call for Papers läuft

Die Planungen für die PCIM Europe 2019 sind bereits in vollem Gange: Bis zum 15.Oktober…

Leistungsschub für 5G

Schnellere GaN-HEMTs

Elektronen in GaN-HEMTs bevorzugen eine bestimmte Fließrichtung. Diese Erkenntnis von…

Power-SiC-Markt wächst zweistellig

SiC-Transistoren werden die Wachstumstreiber

Der Umsatz mit SiC-Transistoren wächst zwischen 2017 und 2023 mit durchschnittlich 50…

Gregg Lowe, CEO of Cree and Wolfspeed

“Wolfspeed is no more our Ugly Duckling”

Wolfspeed is the smallest segment of Cree, dominated by its bigger brothers, lighting and…

Gregg Lowe, CEO von Cree und Wolfspeed

»Wolfspeed ist nicht mehr unser hässliches Entlein«

Wolfspeed ist der kleinste Teil von Cree, dominiert von den größeren Brüdern Beleuchtung…

Bruchfestes Metall-Keramik-Substrat

Für Leistungselektronik-Anwendungen im Elektroauto

Das neueste Produkt von Heraeus ist das Metall-Keramik-Substrat Condura.prime. Das…

Interview with Aly Mashaly

Rohm provides local support for Europe for Silicon Carbide

Rohm Semiconductor has opened its Power Lab in Willich for analyzing power electronics.…

LFPAK56-MOSFETs von Nexperia

Luft- und Kriechstrecken erfüllen UL 2595

Nexperia bietet zwei seiner im LFPAK56-Gehäuse untergebrachten MOSFETs nun in einer…

Rohm und GaN Systems

Strategische Partnerschaft

Rohm und GaN Systems entwickeln im Rahmen einer strategischen Partnerschaft gemeinsam…