Produkt

Flüchtige Speicher (DRAM,SRAM)

Chinas Chipindustrie

Tsinghua Unigroup bekommt mehr Geld

Insgesamt rund 22 Mrd. Dollar will der chinesische Staat in die Tsinghua Unigroup stecken.

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© IC Insights

IC Insights

Halbleiter plus 11 %, DRAMs explodieren

Wegen der DRAMs und NAND-Speicher verdoppeln die Marktforscher ihre ursprüngliche Prognose…

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© Intel/Micron

Intel

SSDs auf Basis von 3D-XPoint-Speichern

Jetzt sind sie endlich da: Intel kündigt die ersten Optane-SSDs an, die auf Basis der…

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Big data, big business

GSI-Speicher neu bei Mouser

Auf gleich vier Speicherserien erstrecken Hersteller GSI Technology und Distributor Mouser…

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© Micron

Abschied angekündigt

Microns CEO Mark Durcan zieht sich zurück

Nach 30-jähriger Tätigkeit beim US-amerikanischen Speicherhersteller Micron Technology,…

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© Nantero

Nantero: NRAMs

»Fortschritt an vielen Fronten«

Während der vergangenen sechs Monate hat Nantero, Pionier der energiesparenden,…

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© Simos Elektronik

nvSRAMs

Schnelle nichtflüchtige Speicher mit hoher Datensicherheit

Daten mit höchster Geschwindigkeit speichern? Und das ohne das Risiko des Datenverlustes –…

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Agiler werden

Toshiba trennt sich von Speicher-ICs

Die Speicher-ICs einschließlich des SSD-Geschäfts will Toshiba in eine eigenständige Firma…

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China baut selbst

54 Mrd. Dollar für neue Speicher-Fabs

DRAMs und 3D-NAND-Speicher möchte die chinesische Tsinghua Unigroup in ihrer neuen Fab in…

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© Nantero

NRAMs von Nantero

Die nichtflüchtige Speicherrevolution kommt!

Die Carbone-Nanotube-Technik, die Nantero entwickelt hat, wird laut BCC Research den…

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