In neun Farbtemperaturen
GaN-auf-Si-LEDs liefern mehr als 160 lm
Mit der Serie TL1L4 präsentiert Toshiba neue Hochleistungs-LEDs für die Allgemein- und Industriebeleuchtung. Diese erzeugen wesentlich höhere Lichtströme als die LEDs der Vorgängerbaureihe TL1L3.
Die weißen LEDs der Baureihe TL1L4 erzielen bei Raumtemperatur und 350 mA Lichtströme von mehr als 160 lm. Bei Umgebungstemperaturen bis 55 °C ist der Betrieb mit Strömen von maximal 1,5 A zulässig. Bei 85 °C Umgebungstemperatur lassen sich die LEDs mit Betriebsströmen bis 1 A betreiben; ein um bis zu 60 % höherer Lichtstrom als bei der Vorgängerserie TL1L3 ist bei dieser Umgebungstemperatur möglich. Die maximale Sperrschichttemperatur wird mit 150 °C angegeben.
Angeboten werden die GaN-auf-Si-LEDs in neun verschiedenen Farbtemperaturen zwischen 2700 und 6500 K. Verbaut sind die LEDs von Toshiba in 3,5 mm x 3,5 mm messenden Gehäusen mit Linse.
Die elektrischen und optischen Parameter der LEDs werden bei 85 °C und 350 mA getestet und spezifiziert, um realistische Betriebsbedingungen zu simulieren.
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