Nominierte zum Produkt des Jahres 2018

Kennziffer 030: Dritte 650-V-IGBT-Generation von Rohm

Für seine dritte 650-V-IGBT-Generation hat Rohm die Zellenstruktur verbessert. In Verbindung mit der optimierten Generation ließ sich auf diese Weise eine um 15 % dünnere Wafer-Struktur als bei der zweiten Generation einsetzen. Die Trench-Gate-Struktur der neuen IGBTs sorgt darüber hinaus für eine geringere Gate-Ladung und -Kapazität. Zwei Serien gehören zu der IGBT-Generation: Die Serie RGTV eignet sich für Anwendungen mit hohem Kurzschlusssicherheits-Bedarf. Und die Serie RGW ist mit ihren geringen Schaltverlusten und ihrer niedrigen Gate-Ladung und -Kapazität speziell für Wandler ausgelegt.