8 Kandidaten zur Wahl zum "Innovator des Jahres" in der Rubrik Chip-Fertigung.

6. Mai 2019, 8 Bilder
Infineon
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IGBT auf 300-mm-Wafer: Infineon bringt eine neue 1200 V IGBT-Generation auf den Markt, den TRENCHSTOP IGBT6. Er erfüllt die steigenden Anforderungen bei Leistungsschaltern nach höchster Effizienz und Leistungsdichte. Als erster diskreter IGBT auf dem Markt wird das Bauteil mit Diode auf einem 300-mm-Wafer produziert. Die neue Produktfamilie wurde optimiert für den Einsatz in hart schaltenden und resonanten Topologien mit Schaltfrequenzen von 15 kHz bis 40 kHz.