CEA-Leti hat einen 130-nm-CMOS-Testchip mit analogen Neuronen und RRAM-basierten Synapsen (Resistive RAM) integriert. Bei einem Shrink auf 28 nm FDSOI lässt sich die Energieaufnahme um den Faktor 10 senken und die Dichte um den Faktor 30 steigern.