Halbleiter

IGBT-Module

Sperrschichttemperatur bis +200 °C

Um die Lebensdauer von IGBT-Modulen zu erhöhen, muss die Verbindungstechnik verbessert werden. Eine solche neue Technik verzehnfacht die Lebensdauer und ermöglicht Sperrschichttemperaturen von bis zu +200 °C.

Design-Wettbewerb

Wer entwickelt die beste Anwendung mit dem EFM32?

Entwickeln Sie eine Anwendung mit der Energiespar-MCU EFM32 von Energy Micro. Für die…

Leistungselektronik für Fahrzeuge

20 kVA pro Liter

Kurze Produkteinführungszeiten bei geringeren Entwicklungskosten sind auch im…

Snapdragon nicht fertig

Qualcomm muss Auslieferung von Notebook-Prozessor verschieben

Ursprünglich sollte der erste Dual-Core-Prozessor aus dem Hause Qualcomm für Notebooks…

Starkes Wachstum bei DRAM-Speichern

Elpida Verlierer im ersten Quartal 2010

Um 8,8 Prozent wuchs der DRAM-Markt im ersten Quartal 2010 gegenüber dem 4. Quartal 2009.…

Ein Chip für Smartphones

Neuer Applikationsprozessor von Freescale kann HD-Videos verarbeiten

Nur 1,5 Jahre nach der Einführung der i.MX51-Prozessoren führt Freescale unter der…

Freescale Technology Forum

Neue MCU-Linie mit ARMs Cortex-M4-Core

Auf seinem jährlichen Technology Forum in Orlando, Florida, haben Freescale-CEO Rich Beyer…

Medizin-Elektronik

Halbleiter-Hersteller übernimmt Hörgeräte-Spezialisten

Der amerikanische Halbleiter-Hersteller On Semiconductor hat das kanadische Unternehmen…

Prozesstechnologie

Qualcomm tritt Sematech-Konsortium bei

Mit Qualcomm ist jetzt das erste fabless Halbleiter-Unternehmen dem Sematech-Konsortium…

Energy Micro

Energie-Effizienz neu definiert

Energy Micro hat – basierend auf der 32-bit-ARM-Cortex-M3- Architektur – die…