Halbleiter

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SiC und GaN – mehr als nur für die Nische?

Siliziumkarbid oder Galliumnitrid? Welches dieser beiden neuen Halbleitermaterialien wird sich in Zukunft in der Leistungselektronik durchsetzen? Dieser Frage sind wir auf der letzten PCIM nachgegangen und haben dort verschiedene Ansätze bei den…

20-V-, 25-V- und 30-V-MOSFETs

Geringste Durchschaltwiderstandswerte

International Rectifier brachte mit dem IRFH6200TRPbF einen HEXFET-Leistungs-MOSFET auf…

N-Kanal-MOSFET-Treiber

Kann Ströme bis 3,2 A liefern

Linear Technologys LTC4449, ein schneller Synchron-MOSFET-Treiber zur Ansteuerung von…

Fraunhofer-Institut

Leuchtender Schutz vor Plagiaten

Ein Forscherteam aus vier Fraunhofer-Instituten hat ein neuartiges Verfahren für den…

Entwicklungshilfe aus Deutschland

Sachsen unterstützt Abu Dhabi in der Mikroelektronik

Der Freistaat Sachsen hat mit der Executive Affairs Authority aus Abu Dhabi eine…

Computex

Neue Intel Atom- und Core-Prozessoren

In Taiwan treffen sich zur Zeit alle namhaften Hersteller aus der PC-Branche auf der…

Milliarden-Investition

Globalfoundries baut Fertigung in Dresden aus

Auf der Computex-Messe in Taiwans Hauptstadt Taipeh hat Globalfoundries-CEO Doug Grose…

600 V

Leistungsmodule für Solar-Wechselrichter

Mitsubishi Electrics Leistungsmodule der PV-Serie sind für eine…

Kleinsignal-MOSFET

Für Aufwärtsregler in der LED-Hintergrundbeleuchtung

Toshiba Electronics Europe erweiterte sein Angebot an Kleinssignal-MOSFETs (S-MOS) mit dem…

ZVEI

Konkurrenz um Rohstoffe steigt

Seit dem Abklingen der globalen Rezession steigen die Nachfrage und damit auch die Preise…