Halbleiter

Dialog Semiconductor

Hochintegriertes GaN-Bauteil für Schnelladegeräte

Dialog Semiconductor hat seine ersten Galliumnitrid-Power-ICs vorgestellt, der auf dem einem GaN-auf-Silizium-Prozess von TSMC basiert. Der »SmartGaN DA8801« integriert monolithisch GaN-Leistungs-FETs zusammen mit analogen Treiber- und…

GaN Systems

Gründer Girvan Patterson und John Roberts gehen in den Ruhestand

Zehn Jahre nachdem Girvan Patterson und John Roberts das Unternehmen GaN Systems gegründet…

IDF 2016: Marke Altera ist Geschichte

Neues zu Intels FPGA-Strategie

Auf Intels diesjähriger Entwicklerkonferenz IDF gab es am 3. Tag Antworten auf die Fragen,…

Rasante Entwicklung

Die HF-Welt im Umbruch

Unter den Herstellern von HF-Komponenten hat sich über die letzten zwei Jahre einiges…

Mikrowellenöfen, Plasma und Zündungen

Mit HF-Leistungsverstärkern in die Consumer-Märkte

Hersteller von HF-Komponenten visieren einen neu entstehenden Markt an: RF-Energy. Die…

Linear Technology Corporation

Flacher µModule-Regler

Der µModule-Regler vom Typ LTM4631 von Linear Technology Corporation kann aufgrund der…

Transcend

SuperMLC-Speicherkarte bis 30.000 Schreib/Lösch-Zyklen

Als Alternative zu den hochpreisigen SLC-Flashspeichern und den günstigeren, aber weniger…

Renesas Electronics

Übernahme von Intersil?

Geht die Konsolidierung weiter? Gerüchten zufolge ja, denn auf vielen Online-Portalen ist…

Forschungszentrum Jülich

ReRAM-Speicher nun besser verstanden

ReRAM-Speicher sind um ein Vielfaches schneller als Flash und benötigen deutlich weniger…

Angebot bei Cybersecurity ausgeweitet

Analog Devices übernimmt Teil von Sypris Electronics

Analog Devices hat den Geschäftsbereich Cyber Security Solutions von Sypris Electronics…