Halbleiter

Mitsubishi Electric / ICSCRM 2019

Trench-SiC-MOSFET mit niedrigstem spezifischem On-Widerstand

Nur 1,84 mΩ/cm² hat der neue Trench-SiC-MOSFET, den Mitsubishi Electric auf der ICSCRM 2019 in Kyoto (Japan) vorgestellt hat. Das ist etwa die Hälfte des Wertes von planaren Typen bei gleicher Durchbruchspannung von 1500 V. Möglich machen dies zwei…

Wachstum ab 2020

Wafer-Lieferungen gehen zurück

In diesem Jahr geht die Zahl der gelieferten Wafer gegenüber dem Rekordjahr 2018 um 6 %…

Macronix und Renesas

MPUs plus OctaBus-Speicher für embedded KI

Die ARM-basierten Prozessoren »RZ/A2M« von Renesas arbeiten ab sofort mit den…

Microchip

Skalierbare IoT-Hardware-Sicherheit

Microchip Technology macht mit vorkonfigurierten Secure Elements IoT-Geräte kostengünstig…

Xilinx Developer Forum 2019

Einheitliche Software-Plattform mit KI-Integration

Mit der neuen »Vitis — Unified Software Platform« vereinheitlicht Xilinx die Entwicklung…

Xilinx Developer Forum

Software-Plattform mit KI-Elementen

Xilinx hat heute auf seinem in San Francisco stattfindenden XDF (Xilinx Developer Forum)…

Silicon Labs

Mesh-Module beschleunigen Time-to-Market

Silicon Labs hat auf Basis seiner Wireless Gecko Series 2-Plattform neue…

Microchip

Sicherer Schlüsselspeicher für IoT-Systeme

Einen sicheren Schlüsselspeicher in ein System zu integrieren ist nicht schwierig, wohl…

Thomas Rosteck, Infineon Technologies

»Die Marktdynamik zum Laufen bringen«

Der Oktober steht ganz im Zeichen der Cybersecurity – internationale Kampagnen sollen das…

TrendForce

DRAMs aus China fallen noch nicht ins Gewicht

2020 werden chinesische DRAM-Hersteller nur einen verschwindend kleinen Anteil an der…