Halbleiter

Infineon Technologies

Erste GaN-Transistorfamilie mit integrierter Schottky-Diode

Infineon Technologies hat die weltweit ersten Galliumnitrid (GaN)-Leistungstransistoren mit integrierter Schottky-Diode für industrielle Anwendungen vorgestellt.

Trotz vieler Abkündigungen

»Wir sichern die Versorgung mit Speicher-ICs!«

Im Interview mit Markt&Technik erklärt Marco Mezger, wie Neumonda mit ihren drei…

Nuvoton-Advertorial:

»Europa ist ein wichtiger Wachstumsmarkt«

Nuvoton ist in Europa noch relativ unbekannt, das soll sich aber ändern. Hsin-Lung Yang,…

Volldifferenzverstärker

Rauscharmes Hochspannungssignal

Der Artikel zeigt, wie sich mit diskreten JFET-Op-Amps rauscharme Hochspannungs-FDAs mit…

Energieeffizienter Prozessor AM62A

Entwicklung smarter Edge-KI-Kameras

Der AM62A ist ein energieeffizienter KI-Prozessor mit integriertem ISP und…

Konnektivität

KI treibt die nächste IoT-Welle voran

Alles im Internet der Dinge (IoT) ist smart, smarte Lautsprecher, intelligente Ringe,…

Kleiner, schneller, stärker

Perfekte Kombination aus AlN-Keramiksubstrat und SiC-MOSFETs

Durch die Kombination von AlN-Keramik und SiC-MOSFETs entstehen kompakte, effiziente und…

Europa stärken

X-FAB entwickelt GaN-Power-Plattform mit IQE

X-FAB hat mit IQE, Hersteller von Wafern aus Verbindungshalbleitern, ein Joint Development…

Microchip Technology

Embedded-Systeme mit I3C verbessern

In der modernen Elektronik werden Embedded-Systeme immer komplexer und enthalten eine…

Renesas Electronics

Leistungsstarke MCUs - auch in kompakten Gehäusen

Bei neuen, intelligenten Produkten fordern Nutzer: mehr Funktionen, komplexere…