Galliumnitrid-Halbleiter
Weniger Defekte in GaN-Kristallen
Üblicherweise werden GaN-Kristalle aus der Dampfphase per MOCVD abgeschieden. Doch die Defektdichte ist relativ hoch. Nun haben japanische Forscher des NIMS und der Tokyo Tech ein Verfahren entwickelt, das eine flüssige Mischung der Rohstoffe…