Halbleiter

Gate-Oxid-Zuverlässigkeit

Siliziumkarbid-MOSFETs im Stresstest

Im Gate-Oxid von SiC-MOSFETs gibt es viele Defekte – lange Zeit ein ernstes Problem bei deren Zuverlässigkeit und für die Kommerzialisierung. Doch in den vergangenen Jahren kamen bessere Fertigungsmethoden und neue Testverfahren – mit Einfluss auch auf die Zuverlässigkeit des Gate-Oxids.

Kommentar

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