Halbleiter

Europa stärken

X-FAB entwickelt GaN-Power-Plattform mit IQE

X-FAB hat mit IQE, Hersteller von Wafern aus Verbindungshalbleitern, ein Joint Development Agreement (JDA) geschlossen, um eine europäische Plattform für GaN-Power-Bauelemente aufzubauen.

Microchip Technology

Embedded-Systeme mit I3C verbessern

In der modernen Elektronik werden Embedded-Systeme immer komplexer und enthalten eine…

Renesas Electronics

Leistungsstarke MCUs - auch in kompakten Gehäusen

Bei neuen, intelligenten Produkten fordern Nutzer: mehr Funktionen, komplexere…

onsemi verbessert Position durch Zukäufe

Klarer Fokus auf Leistungselektronik

Strategische Zukäufe stärken onsemi im SiC-Markt. Gleichzeitig eröffnet der…

Alternative für DRAMs

Neue CCD-3D-Pufferspeicher für KI und ML

Die Compute-Express-Link-Speicherschnittstelle (CXL) bietet die Möglichkeit, DRAMs in…

Efinix

Schnell, energiesparend, klein und schlau

Efinix bietet mit seiner Quantum-Architektur kompakte, stromsparende FPGAs und SiPs für…

Leistungselektronikindustrie

Wachstum, Herausforderungen und strategische Veränderungen

Leistungselektronik war bislang eine Domäne weniger Hersteller. Inzwischen drängt China in…

Advertorial: A+P Sensors and Power

Prozesse und technologische Herausforderungen bei Niederdruck MEM

Mikro-elektromechanische Systeme (MEMS) ermöglichen auf Basis von Halbleiter…

Fraunhofer IPMS

Neue Kryostaten beschleunigen Qubit-Forschung

Im März hat Center Nanoelectronic Technologies (CNT) am am Fraunhofer IPMS neue Kryostate…

e.MMC-Sicherheit

Welche Sicherheit kann eingebetteter Speicher bieten?

Durch die Kombination von NAND-Flash-Speicher und Controller in einem einzigen Gehäuse,…