Halbleiter

Toyoda Gosei / Galliumnitrid

GaN-Substrate mit über 150 mm Durchmesser

Gemeinsam mit der Universität Osaka hat Toyoda Gosei Galliumnitrid-Substrate (GaN) für Leistungsbauelemente mit einem Durchmesser von 150 mm hergestellt. Ziel ist es, den Durchmesser noch weiter zu vergrößern.

Schaltenergien bestimmen

Kalorimetrie bei SiC-MOSFETs nutzen

Um den Wirkungsgrad zu bestimmen und das Wärmemanagement zu dimensionieren, ist es…

Sensoren für Temperatur- und Druckdaten

Hauchdünn und flexibel

Die wichtigste Veranstaltung im Jahreskalender der gedruckten Elektronik nutzt Luat…

Smarte Sensoren

Kundenspezifische ICs gegen Abkündigungen

Neben anderen Vorteilen eröffnen ASICs den Herstellern von Smart Sensors die Möglichkeit,…

QuiX Quantum

Größter photonischer Quantenprozessor

Den größten photonischen Quantenprozessor hat QuiX Quantum vorgestellt: mit 20…

Kongress und Ausstellung live in München

Gedruckte Elektronik als Innovationstreiber

An der gedruckten Elektronik führt in der digitalisierten, vernetzten Welt der Zukunft…

WSTS

Speicher sollen in diesem Jahr die Verlierer sein

WSTS hat seine endgültigen Zahlen zum weltweiten Halbleitermarkt 2021 und seine…

Netzverstärkung

Ey Mann, wo is' meine VR-Brille?

Airbus wettet weiter auf Wasserstoff, goldene Zeiten im Osten und Audi startet mit VR auf…

Erdbeben in Japan

Die Auswirkungen auf die Lieferkette

Nach dem Beben gab es Stromausfälle, viele Werke stellten den Betrieb ein. Inzwischen wird…

Magdeburg

Hochschule nicht fit für Intel-Ansiedelung

Für Uni-Absolventen im Land gibt es mit dem großen Chipwerk von Intel gute Jobaussichten.…