Halbleiter

Wide-Bandgap-Materialien im Fokus

Impulsstrompotenzial von SiC-FETs

WBG-Halbleiterschalter wie etwa SiC-FETs zeichnen sich durch geringe statische und dynamische Verluste aus und halten hohen Impulsströmen stand. Doch wie lassen sich die Eigenschaften quantifizieren? Und was zeigt der Vergleich mit Silizium-/Si-Komponenten?

PSoC 4000T

Ultra-Low-Power-MCUs für Multi-Sense-Anwendungen

Infineon Technologies bringt die PSoC 4000T-MCU-Familie auf den Markt. Sie bietet eine...

»Tensilica«-IP-Portfolio erweitert

Neue HiFi- und Vision-DSPs

Cadence Design Systems hat seine Tensilica HiFi und Vision DSP Familien um vier neue...

Deutsche Elektroexporte bleiben schlecht

Die ersten neun Monate in der Summe aber positiv

Die Exporte der deutschen Elektro- und Digitalindustrie waren auch im September 2023...

SEMI

Weltweite Halbleiterindustrie erholt sich im vierten Quartal

Im jüngsten »Semiconductor Manufacturing Monitor (SMM) Report Q3 2023« heißt es, dass...

Microsoft

Zwei eigene Chips vorgestellt

Microsoft hat zwei selbstentwickelte Chips vorgestellt: den »Microsoft Azure Maia AI...

Fraunhofer IPMS: »Semicon Europa«

Halbleiterforschung auf 200/300 mm

Mitten im Silicon Saxony bietet das Fraunhofer IPMS großen Chipherstellern aber auch...

Heraeus

Einstieg bei Zadient Technologies und SiC

Die Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleitern ist enorm. Mit einer millionenschweren...

Mit aktiver Klemmung

Hoher Wirkungsgrad für PFSB-Wandler

Vollbrückenwandler beschaltet man meist mit einem Löschglied, um Schwingungen oder...

On-Chip-Peripherie

Mehr Flexibilität durch programmierbare Logik

Mikrocontroller sind auf zusätzliche Chips und Software angewiesen, um...