»Rezession? Wir investieren!«
Als erster Hersteller will Texas Instruments analoge ICs auf 300-mm-Wafern produzieren. Dazu hat TI kürzlich das Equipment aus dem ehemaligen Werk von Qimonda in Virginia, USA, günstig erstanden.
Damit ausgestattet, kommt die neue Fab in Richardson, Texas, auf eine Kapazität, die ausreicht, um pro Jahr mit analogen ICs einen Umsatz von 1 Mrd. Dollar zu generieren. »Alle reden von der Rezession, wir investieren und sind für den Aufschwung gerüstet«, sagt Uwe Mengelkamp, Director DC/DC Converters bei TI. Allerdings musste TI nicht allzu tief in die Tasche greifen, um das 300-mm-Equipment für die neue Fab (RFAB genannt) zu kaufen: Rund 172,5 Mio. Dollar kosteten die Maschinen, die ursprünglich in der DRAM-Fab von Qimonda in Virginia ihre Arbeit verrichteten.
Bis ins erste Quartal 2010 wird es voraussichtlich dauern, die Fertigungslinie von Richmond, Virginia, nach Richardson zu transferieren, danach schließt sich die Qualifizierung an, die bis Ende 2010 abgeschlossen sein soll, so dass die Fab ab Anfang 2011 hochgefahren werden kann.
Erst kürzlich hat TI ein neues Assembly-Werk in Clark auf den Philippinen in Betrieb genommen und zudem neues 200-mm-Equipment zum Ausbau weiterer analoger Fertigungslinien gekauft.
Rechnet TI also damit, dass ab 2011 der Halbleitermarkt wieder solide wachsen wird? »Das kann heute niemand sagen«, erwidert Mengelkamp auf diese Frage. Insbesondere die Kunden, die Geräte für den Konsumelektronik-Markt herstellen, hätten Schwierigkeiten, eine längerfristige Prognose abzugeben, denn das Verhalten der Konsumenten könne kaum vorhergesagt werden.
Darauf hat sich TI über mehrere Maßnahmen eingestellt: Erstens hat das Unternehmen einen gewissen Teil der Fertigung an Foundries ausgelagert, auch wenn der größte Teil bei TI verbleibt. Die zweite Maßnahme besteht darin, in neue Fab-Gebäude möglichst früh und zu einem möglichst günstigen Zeitpunkt zu investieren. Dafür sei die Fab in Richardson laut Mengelkamp ein gutes Beispiel: Die Entscheidung, sie zu bauen, war 2003 gefallen (damals allerdings mit dem Ziel, dort digitale ICs zu fertigen), 2006 war das Gebäude bezugsfertig, stand dann aber erst einmal leer.
»Eine Fab zu bauen und sie dann nicht sofort mit Geräten zu füllen, sieht auf den ersten Blick etwas merkwürdig aus«, gibt Mengekamp zu. Weil der Bau relativ lange dauert, aber an den Gesamtkosten nur einen relativ geringen Anteil hat, lohnt es sich, hier längerfristig zu planen und ein neues Gebäude nach dem aktuellen Bedarf mit Equipment zu füllen. Jetzt geht das Management von TI offenbar davon aus, dass der Bedarf langfristig steigt. Die Maschinen zu einem Schnäppchenpreis erstanden zu haben, dürfte ebenfalls eine Rolle gespielt haben.
Im Moment kann sich TI über mangelnde Nachfrage im Bereich analoger ICs nicht beklagen. »Die Linien sind gut ausgelastet, besonders wegen des starken Bedarfs in Asien«, erklärt Mengelkamp. Das treffe vor allem für die Power-Management-ICs zu, die im neuen LBC7-Prozess, einem 0,25-μm-BiCMOS-Prozess, gefertigt werden. Derzeit fährt TI den LBC7 bereits in den Werken in Miho, Japan, Freising und Dallas. 2011 folgt dann die RFAB.
Stolz ist Mengelkamp darauf, dass für diesen Prozess TI-Ingenieure im Werk in Freising die Prozess-Parameter mit definiert haben. Wichtige Kennzeichen des LBC7-Prozesses sind die Verdrahtung aus Kupfer, um den Leitungswiderstand zu senken, und der niedrige Einschaltwiderstand der Transistoren. »Der RDSon liegt jetzt im Widerstandsbereich der Bonddrähte«, sagt Mengelkamp. Außerdem ist der Prozess für Spannungen bis 40 V ausgelegt, was beispielsweise für die Aufwärtswandler wichtig ist, die im Backlight von Navigationsgeräten arbeiten und 36 V liefern sollen.
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