Pseudo SRAMs, x8 organisiert!
Der taiwanische Halbleiterlieferant Elite Semiconductor (ESMT) bringt neue Pseudo SRAMs in »Low Power«-Ausführung auf den Markt, die jetzt auch für eine 8-bit-Anbindung ausgelegt sind.
Mit den neuen Speicherbausteinen füllt ESMT auf Anbieterseite eine Lücke aus, da die Zahl der Lieferanten von solchen Speichertypen begrenzt ist. »Die Bausteine sind asynchron kompatibel, so dass sie die traditionellen SRAMs ersetzen können«, verdeutlicht Reinhard Brüggemann, Key Account Manager Europe des Distributors Endrich. PSRAMs basieren auf einer DRAM-Zelle und sind mit einem Transistor pro Zelle wesentlich kleiner als sonst übliche SRAMs, die mit sechs Transistoren aufgebaut sind.
Die Speicher-ICs, die das Unternehmen unter der Bezeichnung CE-SRAMs (Cost Effective SRAMs) vertreibt, haben Speicherkapazitäten von 2 MBit und 4 MBit. Ausgelegt sind sie für einen Spannungsbereich von 2,7 bis 3,6 V und für Temperaturen von -40 bis +85 °C. Die ICs erreichen Zugriffszeiten von 55 ns. »Die technischen Parameter entsprechen also denen von Standard SRAMs«, erläutert Reinhard Brüggemann. Der Standby-Strom ist mit typisch 9 µA bzw. 17 µA spezifiziert.
Erhältlich sind die Speicher im 36-VFBGA; eine 32-TSOP2-Ausführung ist bei größeren Liefermengen nach Absprache erhältlich. Des Weiteren kann Endrich auf Kundenwunsch auch die Typen 1Mbx8 (128Kbx8) bzw. 1Mbx16 (64Kbx16) anbieten, jeweils abhängig von der Auftragsgröße.
Die Firma ESMT, die seit 1997 am Markt aktiv ist, hat vor einigen Jahren die Pseudo-SRAM-Produktfamilie von Cypress gekauft. Neben den PSRAMs bietet die Firma unter anderem auch Standard- und Speciality-DRAMs, einschließlich PFM und EDOs, sowie NOR-Flash-Speicher an.
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