Plattform für 45-nm-High-Performance-System-LSIs
Toshiba, Sony und NEC Electronics haben gemeinsam eine 45-nm-Prozessplattform für die Fertigung von Massenprodukten entwickelt.
Die Schlüsselelemente der neuen Plattformtechnologie sind ein vollständig erneuertes MOSFET-Integrationsmodell und eine hybride Struktur mit einem Low-k-Film. Der MOSFET-Integrationsprozess basiert auf einer Strained-Silicon-Technologie, die es dank einer Verbesserung des Dehnungsprozesses erlaubt, die Transistorgeschwindigkeit gegenüber der jetzigen Generation um 30 Prozent zu erhöhen. Außerdem setzen die Partner zur Fertigung auf die Immersion-Lithographie mit einer numerischen Apertur von über 1,0, wodurch sich eine SRAM-Zelle mit einer Fläche von nur 0,248 qµm realisieren lässt. Die Partner, die gleichzeitig auch zwei 45-nm-Prozesse entwickeln, gehen davon aus, dass die jetzige Plattform in Kürze fertig sein wird.
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