OptiMOS in DirectFET-Gehäuse
26. September 2007, 17:47 Uhr |
Mathias Bloch, elektroniknet.de
International Rectifier hat sein DirectFET-Gehäuse an Infineon lizensiert. Infineon will das Metall-Gehäuse für seine OptiMOS-2- und 3-Familie verwenden.
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Im Vergleich zu Kunststoffgehäusen besteht das DirectFET-Gehäuse aus Metall und kann beidseitig gekühlt werden.
Infineon wird das DirectFET-Gehäuse bei seinen Leistungshalbleiter-Familien OptiMOS 2 und OptiMOS 3 einsetzen. Anfang 2008 soll es erste Muster der Bausteine geben.
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