Toshiba Memory Corporation

Neue Flash-Speicher-Fab mit Künstlicher Intelligenz

24. Mai 2018, 6:19 Uhr | Heinz Arnold
Die Fab in Yokkaichi, wo Toshiba Memory und Western Digital ein neues Entwicklungszentrum für 3D-NAND-Flash-Speicher eröffnet haben. Jetzt baut TCM eine neue Fab für 3D-NAND-Speicher in Kitakami.
© Toshiba

TCM baut eine neue Fab für die Fertigung von 3D-NAND-Flash-ICs in Kitakami. Über KI soll die Produktivität gesteigert werden.

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Mit den Vorbereitungen zum Bau der neuen Fab hat html" href="http://www.elektroniknet.de/anbieterkompass/toshiba-electronics-europe-gmbh-1001230.html">Toshiba Memory Corportion (TMC) bereits begonnen. Die Fertigstellung ist noch für 2019 geplant. Damit reagiert das Unternehmen auf die stark wachsende Nachfrage nach SSD-Speichern für den Einsatz in Datenzentren und Servern, die mittel- und langfristig anhalten werde, wie TCM in einer Pressemitteilung erklärte.

Die Fab ist erdbebensicher ausgelegt und TSM wird die neusten Maschinen installieren, die sich gegenüber den Vorgängern zusätzlich durch eine hohe Energieeffizienz auszeichnen. Die Flash-Speicher-ICs wird TCM auf Basis ihres BiCS-Flash-Prozesses fertigen. Um die Produktivität zu erhöhen, kommt in der Steuerung auch Künstliche Intelligenz zum Einsatz. TCM will den Bau der neuen Fab im Rahmen des Joint-Ventures mit Western Digital durchführen.

Für die Führung der Fab wird die Toshiba Memory Iwate Corportion, eine Tochter von TCM, verantwortlich sein.

Außerdem verlegt TCM den Hauptsitz vom Toshiba Building im Januar 2019 in den Tamachi Station Tower  S in Tokio.

 

 


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