Startseite > Halbleiter > NAND-Flash-Speicher in 20-nm-Prozessgeometrie vorgestellt

Intel und Micron

NAND-Flash-Speicher in 20-nm-Prozessgeometrie vorgestellt

15. April 2011, 9:38 Uhr | Frank Riemenschneider

Als erste Produkte kommen acht Gbyte große Multi-Level-Cell-NAND-Flash-Speicher auf den Markt. Diese zielen wegen ihrer hohen Kapazität und geringer Größe auf Smartphones, Tablets oder SSDs.

▶ Diesen Artikel anhören

Produziert werden die Chips von IM Flash Technologies (IMFT), dem NAND-Flash-Joint-Venture von Intel und Micron. Die neuen 20-nm-8-Gbyte-Produkte belegen nur noch 118 mm². Intels derzeitiges 25-nm-8-Gbyte-NAND Modell belegt noch 131mm².

Prototypen der Chips sind bereits in Produktion, die Serienfertigung beginnt voraussichtlich im zweiten Halbjahr 2011. Bis dahin wollen Intel und Micron auch erste 16-Gbyte-NAND-Flash-Speicher präsentieren, die dann auf der Fläche einer Briefmarke insgesamt bis zu 128 Gbyte Speicherkapazität aufweisen.