Kleine Prozessgeometrie bei FPGAs

Microsemi präsentiert 65-nm-Embedded-Flash-Plattform

1. Dezember 2010, 13:42 Uhr | Frank Riemenschneider

Zusammen mit der taiwanischen Foundry UMC hat Microsemi einen neuen Herstellungsprozess für seine Flash-basierten FPGAs entwickelt. Zukünftig werden diese in einer 65-nm-Geometrie hergestellt, was neben mehr Gattern und höherer Rechenleistung auch eine geringere Leistungsaufnahme zur Folge hat.

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Die SOC-Products-Division von Microsemi hat eine 65-nm-Embedded-Flash-Plattform vorgestellt. Auf der neuen Plattform wird das Unternehmen seine Flash-basierten, kundenspezifisch konfigurierbaren SOCs (System-on-Chip) der nächsten Generation herstellen. Ausgestattet mit einer neuen, erweiterbaren 4-Input-LUT-Architektur werden die Low-Power Mixed-Signal- und systemrelevanten SOCs des Unternehmens darauf produziert. So wird sich die Gatter-Zahl um eine Größenordnung erhöhen und gegenüber der bisherigen Generation die doppelte Rechenleistung erreichen.

Die neue Plattform wird weiterhin den dynamischen Energieverbrauch um 65 Prozent senken. Zugleich wird die Flash*Freeze-Funktion optimiert und die Stromaufnahme im statischen Betrieb weiter reduziert. Künftige Bausteine werden Bus-Schnittstellen gemäß Industriestandard enthalten und auch die Integration strahlungsfester IP (Intellectual Property) wie Embedded-Mikroprozessor-Cores, DSP-Blöcke, High-Speed-Transceiver, Memory-Interfaces, nichflüchtiges Flash-Memory und programmierbare Analogfunktionen ermöglichen.

Microsemi und UMC sind die ersten Unternehmen, die mit dem 65-nm-Embedded-Flash-Prozess auf den Markt kommen. Erstes kommerzielles Silizium befindet sich bereits In-House. Die allgemeine Verfügbarkeit wird in der ersten Jahreshälfte 2011 erwartet.

Microsemi gab ferner einen kurzen Einblick in seine strahlungstoleranten (RT) Flash-SOCs der nächsten Generation.  Die vierte RT-FPGA-Generation wird bis zu 20 Millionen Gatter, ein größeres Array an Flip-Flops, Speicher und strahlungsresistente Embedded-IP-Cores enthalten. Außerdem werden die Bausteine mit DSP-Blöcken, PLLs und High-Speed-Schnittstellen (wie z.B. SpaceWire, DDR2/3, PCI Express) ausgestattet sein, um Daten schnell in und aus dem Chip zu bringen. Die neue Flash-basierte FPGA-Architektur bietet einen Schutz vor Total Dose Radiation und Single Event Effects (SEE). Gegenüber SRAM-FPGAs sind bei Microsemis strahlungstoleranten, Flash-FPGAs die Konfigurationsdaten vor Single Event Upsets (SEUs) geschützt und kommen ohne Schutzkonzepte auf Board-Ebene aus. Aufgrund der normalerweise recht langen Entwicklungszyklen in der Raumfahrtbranche arbeitet das Unternehmen bereits seit über einem Jahr mit Kunden zusammen, die die raumfahrttauglichen FPGAs der nächsten Generation einsetzen.

 


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