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40 Prozent niedrigerer RDS(on)

Tohsiba (Vertrieb: Glyn) hat die Leistungs-MOSFETs der »DTMOS«-Serie mit einem Super-Junction-Sperrschichtübergang ausgestattet. Die Verluste der Bausteine wurden dadurch erheblich reduziert. So liegt der Einschaltwiderstand RDS(on)

Durchlasswiderstände von 125 bis 385 mOhm

Eine Sperrspannung von 600 V weisen die Leistungstransistoren der »CoolMOSCP«-Serie von…

Schnelle MOSFETs

Für Schaltfrequenzen bis 250 kHz eignen sich die 100-V-MOSFETs der OptiMOS2-Familie von…

Integrierte MOSFET-Lösung

Um bis zu 80 Prozent lässt sich durch den Einsatz der integrierten MOSFET-Lösung IRF4000…

Vier in einer

Aus Kostengründen werden Gleichrichterbrücken in Akku-Ladern, Steckernetzteilen,…

Schnell schaltende H-Brücken

Unter der Bezeichnung fastPack0 hat Tyco Electronics eine Familie schnell schaltender…

Doppelt so hohe Stromstoßfestigkeit

Infineon Technologies bringt mit der Baureihe tinQ! seine zweite Generation von…

Synchrongleichrichter-MOSFETs

Auf Applikationen in Stromversorgungen mit sekundärer Synchrongleichrichtung und…

Motion-Module für Kühlschränke

Für Invertermotoren mit weniger als 200 W ausgelegt sind die beiden Motion-SPM-Bausteine…

Mehr Leistung im flowPIM0-Gehäuse

Ein komplettes Package liefert Tyco Electronics mit seinen flowPIM0-Modulen. Sie…

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