Leistungshalbleiter

Hochstrom-IGBT-Module

Auf Applikationen im Bereich Windkraft, Solar-Inverter, AC-Antriebe und MRI Amplifier zugeschnitten sind die Hochstrom-IGBT-Module der MWI-Familie von IXYS Semiconductor. Die in NPT3-IGBT-Technologie realisierten Module stehen in

1200-V-Modul mit bis zu 300 A

Tyco Electronics hat sein Power-Modul-Produktspektrum um die Produktfamilie »plowPhase2«…

Flache SEMiX-IGBT- und Brückengleichrichtermodue

Semikron hat das flache Leistungselektronik-System »Semistack« von Semikron vorgestellt.…

Hochleistungstransistoren

Verbessertes Betriebsverhalten bei hohen Temperaturen, niedriger Rauschpegel, hohe…

Thyristor-/Dioden-Module bis 700 A

Spoerle hat die Thyristor- und Dioden-Module der Semipack-Serie in sein Vertriebsprogramm…

40 Prozent niedrigerer RDS(on)

Tohsiba (Vertrieb: Glyn) hat die Leistungs-MOSFETs der »DTMOS«-Serie mit einem…

Durchlasswiderstände von 125 bis 385 mOhm

Eine Sperrspannung von 600 V weisen die Leistungstransistoren der »CoolMOSCP«-Serie von…

Hohe Avalanche-Festigkeit

Fairchild Semiconductors jüngster NPT-Trench-IGBT, der FGA25N120ANTD, ist aufgrund…

3 bis 30 A im Mini-DIP

Eine effiziente Lösung für Motorsteuerungen von 300 W bis 3 kW stellen die Smart Power…

Wenn 1000 V zu wenig sind

EMV-Prüfungen mit Burst-Impulsen bis zu 2 kV stellen hohe Anforderungen an die…