Toshiba Electronics
Schnell schaltende IGBTs
Auf Anwendungen wie Induktionskochfelder und andere Einsatzgebiete von Stromresonanz-Wechselrichtern zugeschnitten sind die schnell schaltenden IGBTs GT50JR21 und GT50JR22 (beide für 600 V/50 A) von Toshiba Electronics.
Sie sind mit einer Reverse-Recovery-Freilaufdiode ausgestattet und bieten eine maximale Sperrschichttemperatur von +175 °C. Ihre typische Sättigungsspannung bei 50 A beträgt 1,5 V für den GT50JR21 und 1,65 V für den GT50JR22. Bei einem typischen Kollektorstrom von 50 A betragen die typischen IGBT-Einschalt- und Ausschaltzeiten 0,26 µs und 0,31 µs bzw. 0,25 µs und 0,37 µs. Jeder IGBT weist eine Kollektor-Verlustleistung von 230 W bei +25 °C auf. Ausgeliefert werden beide IGBTs in TO-3P(N)- bzw. TO247-äquivalenten Gehäusen.
Toshiba Electronics auf der PCIM 2012 Halle 12, Stand 301
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