Nieder- und Hochvolt-P-Kanal-Power-MOSFETs
26. März 2009, 11:00 Uhr |
Engelbert Hopf, Markt&Technik
MSC hat sein Vertriebsprogramm um die TrenchP-P-Kanal-Power-MOSFETs (50 bis 150 V) sowie die Polar-P-Kanal-Power-MOSFETs (100 bis 600 V) von IXYS erweitert.
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Die Baureihen bieten neben einem niedrigen Durchlasswiderstand auch eine sehr geringe Gateladung. Die Transistoren eignen sich für alle Anwendungen, bei denen die High Side geschaltet werden muss. Damit kann der schaltungstechnische Aufwand umgangen werden, den ein N-Kanal-MOSFET als High-Side-Schalter erfordert.
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