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Halbleiter-Lieferkette

Infineon sichert sich SiC-Quelle bei GT Advanced

09. November 2020, 08:06 Uhr   |  Ute Häußler

Infineon sichert sich SiC-Quelle bei GT Advanced
© Infineon

SiC-Boules sind das grundlegenden Basismaterial für die Herstellung von SiC-Wafern.

SiC boomt, doch das Rohmaterial dafür ist knapp. Infineon hat mit GT Advanced einen Liefervertrag für Siliziumkarbid-(SiC)-Boules geschlossen. Für zunächst fünf Jahre sichert sich der Halbleiterhersteller weiteren Zugang zum Grundmaterial. Infineon rechnet mit einer weiter steigenden Nachfrage.

SiC ermöglicht besonders effiziente, robuste und auf Systemebene kostengünstige Leistungshalbleiter. Infineon ist einer der Marktführer für Leistungshalbleiter in Industrieanwendungen und hat mit der ColdSplit-Methode eine besonders effektive Produktion von SiC-Wafern und die bestmögliche Ausnutzung der Boules entwickelt. Das Unternehmen rechnet mit einer stetig steigende Nachfrage nach SiC-basierten Schaltern, insbesondere für industrielle Anwendungen.

»Es zeigt sich darüber hinaus, dass der Automobilsektor rasch nachzieht,« sagt Peter Wawer, der bei Infineon den Industrila Power Bereich verantwortet. »Der jetzt geschlossene Liefervertrag stellt sicher, dass wir die schnell wachsende Nachfrage unserer Kunden mit einer diversifizierten Zuliefererbasis bedienen können. Die hochwertigen Boules von GTAT sind eine zusätzliche Quelle für wettbewerbsfähige SiC-Wafer, die jetzt und in Zukunft die höchsten Materialstandards erfüllen werden. Das unterstützt unsere ehrgeizigen SiC-Wachstumspläne, für die wir unsere Technologieexpertise und Kernkompetenzen bei der Dünnwafer-Fertigung nutzen.«

Die weitere Verbreitung von SiC-Bauelementen in vielen Anwendungen dürfte maßgeblich von der aggressiven Kostenreduzierung des Substrats abhängen. Die GTAT-Vereinbarung ist für Infineon ein wichtiger Schritt, seine Marktposition zu stärken.

SiC wird heute schon in verschiedensten Applikationen eingesetzt, vor allem bei Fotovoltaikumrichtern, in Industrie-Stromversorgungen sowie der Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge. Hier kommen die Vorteile von SiC auf Systemebene gegenüber klassischen Silizium-Lösungen sehr deutlich zum Tragen. Weitere industrielle Applikationen wie unterbrechungsfreie Stromversorgungen und drehzahlgeregelte Antriebe nutzen immer stärker die neue Halbleitertechnologie. Ein enormes Potenzial für dessen Einsatz weisen auch Elektrofahrzeuge auf. Mögliche Anwendungsbereiche sind etwa der Hauptumrichter für den Antriebsstrang und die Onboard-Batterieladeeinheit.

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