Gehäusenennstrom bis 195 A
26. März 2009, 10:53 Uhr |
Engelbert Hopf, Markt&Technik
Mit bis zu 195 A bieten die jüngsten Trench-HEXFET-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier gegenüber Standardlösungen um bis zu 60 Prozent höhere Gehäuse-Nennströme.
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Darüber hinaus bieten die n-Kanal-MOSFETs einen im Vergleich zu bisherigen Angeboten verbesserten Einschaltwiderstand RDS(on) zwischen 2,1 und 22 mΩ. Die Nennströme reichen von 72 bis 195 A. Lieferbar sind die MOSFETs in TO-220-, D2PAK- und TO-262-Gehäusen. Mit dem 7-Pin-D2PAK-Gehäuse ist zudem noch ein überragender Gehäuse-Nennstrom von 240 A erreichbar. Erhältlich sind die MOSFETs im Spannungsbereich von 60 bis 200 V.
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