Dr. Peter Friedrichs hält Keynote auf der EPE 2016
9. September 2016, 9 Bilder
Diese Herausforderung lässt sich mit Trench-MOSFETs lösen. Die von Infineon auf der diesjährigen PCIM Europe vorgestellten SiC-Trench-MOSFETs bieten laut Dr. Friedrichs eine zu IGBTs vergleichbare Robustheit, haben eine höhere Performance als planare SiC-DMOS-Schalter und bieten noch eine Menge Raum zur Optimierung.