Dr. Peter Friedrichs hält Keynote auf der EPE 2016
9. September 2016, 9 Bilder
Die erste Generation SiC-Schottky-Dioden hatten zwei gravierende Nachteile: Sie war nicht gegen hohe Surge-Ströme gewappnet und zeigte keinen stabilen, definierten Breakdown. Dies habe Infineon ab der zweiten Generation durch p-dotierte Inseln unter dem Schottky-Kontakt in den Griff bekommen.