85 Prozent geringerer Platzbedarf
26. März 2009, 10:45 Uhr |
Engelbert Hopf, Markt&Technik
Diodes ergänzt seine IntelliFET-Familie durch den weltweit kleinsten Low-Side-MOSFET mit eingebauten Schutzfunktionen. Dank seines flachen 2,3 x 2,8 mm großen SOT23F-Gehäuses benötigt der Baustein ZXMS6004FF 85 Prozent weniger Fläche als bisher übliche 7,3 x 6,7 mm große SOT223-Gehäuse.
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Der Baustein bietet eine dreimal höhere Leistungsdichte als vergleichbare Produkte mit deutlich größeren Gehäusen. Sein On-Widerstand beträgt 500 mΩ. Durch die Integration von ESD-, Überspannungs-, Überstrom- und Übertemperaturschutz in ein thermisch effizientes Gehäuse schützt der Baustein nicht nur sich selbst, sondern auch angeschlossene Verbraucher. Ausgelegt ist der Baustein für Dauerströme von 1 A, er verkraftet Spannungsspitzen bis 60 V.
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