High Electron Mobility Transistor auf GaN-Basis
1. Januar 2008, 0:00 Uhr |
Das Konzept „System-in-a-Package“ mit der Hybrid-Integration eines AlGaN/GaN-HEMT (High Electron Mobility Transistor) auf einem kostengünstigen Substrat mit guter thermischer Leitfähigkeit bietet eine Reihe von Vorteilen, z.B. die Möglichkeit des Einsatzes kostengünstiger Substrate für die Züchtung von GaN-Epitaxialwafern bei gleichzeitiger Nutzung von Passivbauteilen in hoher Qualität. Gute Aussichten für HF-Leistungsverstärker.
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