Produkte des Jahres 2022 – Halbleiter
13. Dezember 2021, 12 Bilder
ROHM Semiconductor: Hybrid-IGBTs mit integrierter SiC-Diode
Die RGWxx65C-Serie von ROHM Semiconductor umfassen Hybrid-IGBTs mit einer integrierten 650-V-SiC-Schottky-Barrierediode. Die Bauelemente im TO-247N-Gehäuse sind für Nennströme von 30, 40 und 50 A ausgelegt und gemäß dem Automotive-Zuverlässigkeitsstandard AEC-Q101 qualifiziert. Sie eignen sich ideal für Automobil- und Industrieanwendungen, die große Leistungen verarbeiten. Dazu gehören Photovoltaik-Leistungsregler, Onboard-Ladegeräte und DC/DC-Wandler in elektrischen und elektrifizierten Fahrzeugen (xEV).