Durchbruch bei Phasenwechselspeicher
Intel und Numonyx haben einen Weg gefunden, Phasenwechselspeicher (PCM) mit echten »vertikal integrierten Speicherzellen« aufzubauen. Dadurch lässt sich die Speicherkapazität pro Fläche deutlich erhöhen; der Stromverbrauch lässt sich reduzieren.
Als Ergebnis der F&E-Aktivitäten präsentieren die Entwickler einen 64-MBit-Test-Chip, mit dem sie demonstrieren, dass sich innerhalb eines einzigen Dies mehrere Arrays übereinander abscheiden lassen. Weil die PCM-Arrays in nur einem Layer übereinander platziert sind, ist es nicht erforderlich, die verschiedenen Ebenen mechanisch mittels Metall- oder Plastikdrähte zu verbinden. Zwischen den einzeln adressierbaren Schichten befindet sich lediglich ein dünner Isolationsfilm, den die Unternehmen als »Ovonic Threshold Switch« bezeichnen.
Der OTS erfüllt die Funktion eines Schalters. Er ermöglicht es, dass man auf die verschiedenen Gitterstrukturen getrennt zurückgreifen kann. Greg Atwood, Senior Technology Fellow von Numonyx, betont, dass die Ergebnisse der Forschungsarbeiten äußerst viel versprechend seien: »Die Speichertechnologie, die auf skalierbaren Arrays beruht, hat das Potenzial, künftig einen ähnlichen Verwendungszweck zu erfüllen wie heute NAND-Flash.«
Details zum Aufbau der Speicherzellen des Typs PCMS (Phase Change Memory and Switch) und zur Funktion des »Ovonic Threshold Switch« werden Intel und Numonyx auf dem »International Electron Devices Meeting« am 9. Dezember in Baltimore bekannt geben.
