Die Vorteile von Nantero‘s NRAMs auf einen Blick: Die Schreib/Lesezeiten sollen laut Hersteller 100mal schneller als bei NAND-Speicher sein und sie lassen sich in existierende CMOS-Fertigungsprozesse ohne Aufwand integrieren. Im Standby-Modus nimmt der NRAM keine Leistung auf und er soll laut Unternehmen einen Datenerhalt von über 1.000 Jahren bei 85 °C und mit 10 Jahren bei 300 °C haben. Weil 3D-Multilayer-Strukturen und Multi-Level-Cells aufgebaut werden, lassen sich die NRAMs außerdem kostengünstig fertigen.