Europäische Kommission
Deutsche Beihilfe für Halbleiteraktivitäten genehmigt
Die Europäische Kommission hat eine staatliche Beihilfe Deutschlands in Höhe von 659 Mio. Euro für vier neue Anlagen in der Halbleiter-Wertschöpfungskette genehmigt.
Die Maßnahmen sollen bekanntermaßen dazu beitragen, Stellung und Autonomie der EU in der Halbleiter-Wertschöpfungskette zu stärken.
Deutschland wird folgende direkten Zuschüsse für den Bau von Halbleiteranlagen gewähren:
353 Mio. Euro an das KMU »Element 3-5 GmbH« für eine Anlage in Baesweiler, Nordrhein-Westfalen, zur Herstellung von Epiwafern aus Siliziumcarbid (SiC)
214 Mio. Euro an die »Vishay Siliconix Itzehoe GmbH« für eine Anlage in Itzehoe, Schleswig-Holstein, zur Herstellung von Silizium-Leistungs-MOSFETs des n- und p-Typs
74,4 Mio. Euro an die »KLA-Tencor MIE GmbH« für eine Anlage in Weilburg, Hessen, zur Herstellung fortschrittlicher optischer Overlay- und Schicht-Messtechnik
17,9 Mio. Euro an die »KETEK GmbH« für eine Anlage in München zur Herstellung von zwei hochspezialisierten Chips: Siliziumdriftdetektoren (SDD) und »Graphene Radiation Entry Windows« (GREW).
Alle vier Maßnahmen werden aus dem Bundeshaushalt und von den jeweiligen Landesbehörden gemeinsam finanziert.
Beihilfemaßnahme für Element 3-5
Im Rahmen des Projekts »Element 3-5 SiCnature« wird eine neuartige Fabrik für SiC-Epiwafer errichtet. Dabei handelt es sich um Siliziumcarbid-Wafer mit einer sehr dünnen, hochwertigen Zusatzbeschichtung, die die Leistung gegenüber normalen SiC-Wafern verbessert. Der neue Wafertyp soll in Endanwendungen in verschiedenen Sektoren (u. a. Automobil, Industrie, Telekommunikation und Energie) eingesetzt werden. Dieses Projekt führt zu erheblichen Verbesserungen, insbesondere im Herstellungsprozess. So wird im Vergleich zur konventionellen chemischen Beschichtung durch Heißwand-CVD-Systeme die Energieeffizienz steigen, die Erträge werden sich erhöhen und die Herstellung wird effizienter.
Beihilfemaßnahme für Vishay
Vishay wird an seinem Standort Itzehoe neue Halbleiter-Fertigungskapazitäten aufbauen und dort die nächste Generation von Leistungs-MOSFETs herstellen. Dabei handelt es sich um MOSFETs, die darauf ausgelegt sind, Hochspannungen und Ströme in elektronischen Leistungsschaltungen effizient zu schalten oder zu steuern. Sie werden hauptsächlich in der Automobilindustrie, aber auch für industrielle und kommerzielle Zwecke verwendet.
Beihilfemaßnahme für KLA
KLA wird an seinem Standort in Weilburg neue Fertigungskapazitäten für fortschrittliche optische Overlay- und Schicht-Messtechnik (einschließlich wichtiger Unterbaugruppen) aufbauen. Solche Ausrüstung wird für Prozesssteuerung und Qualitätssicherung bei der Massenproduktion von Halbleiter-Bauelementen verwendet, wodurch Front-End- und Back-End-Hersteller ihre Erträge und ihre Produktivität steigern können. Die von KLA in Weilburg hergestellten Geräte ermöglichen die Entwicklung modernster und allermodernster Halbleiter-Fertigungsprozesse.
Beihilfemaßnahme für Ketek
Ketek wird zwei Produktionslinien für hochspezialisierte Chips bauen: SDD-Chips und GREW-Chips, Schlüsselkomponenten der von Ketek bereits gebauten SDD-Detektoren. SDD-Detektoren werden für industrielle Sortier- und Recyclingsysteme verwendet. Das Projekt wird die Montage der nächsten Generation von Detektoren ermöglichen, indem zwei Produktionslinien in einem Reinraum zusammengeführt werden, was Integration und Effizienz gegenüber den derzeitigen Lösungen steigert.
Im Rahmen der Beihilfemaßnahmen haben alle Beihilfeempfänger Folgendes zugesagt:
Sicherstellung einer breiteren Wirkung der Projekte mit positiven Auswirkungen auf die Halbleiter-Wertschöpfungskette der EU
Stärkung der Zusammenarbeit mit Universitäten und Forschungseinrichtungen
vorrangige Erfüllung von Aufträgen im Falle eines Versorgungsengpasses
Entwicklung fachlicher Weiterbildung, um den Pool an ausgebildeten und qualifizierten Arbeitskräften zu vergrößern
Teilung potenzieller projektbezogener Gewinne, die über die derzeitigen Erwartungen hinausgehen, mit Deutschland
Beihilferechtliche Würdigung der Kommission
Die Kommission hat die Maßnahmen Deutschlands nach den EU-Beihilfevorschriften geprüft, insbesondere nach Artikel 107 Absatz 3 Buchstabe c des Vertrags über die Arbeitsweise der Europäischen Union (AEUV), der es den Mitgliedstaaten ermöglicht, die Entwicklung gewisser Wirtschaftszweige unter bestimmten Voraussetzungen zu fördern, sowie nach den Grundsätzen der Mitteilung über das europäische Chip-Gesetz.
Die Kommission ist dabei zu folgendem Ergebnis gelangt:
Die Maßnahme fördert die Entwicklung von Wirtschaftszweigen, da Fertigungskapazitäten in Europa geschaffen werden.
Die Fertigungsanlagen sind die ersten ihrer Art in Europa.
Die Beihilfe hat einen »Anreizeffekt«, da Element 3-5, Vishay und KLA die Investitionen ohne öffentliche Unterstützung nicht in der EU tätigen würden und Ketek die Investition gar nicht vornehmen würde.
Die Maßnahmen haben begrenzte Auswirkungen auf Wettbewerb und Handel innerhalb der EU. Sie sind erforderlich und geeignet für die Krisenfestigkeit der europäischen Halbleiter-Lieferkette. Ferner ist die Beihilfe angemessen und auf das aufgrund nachgewiesener Finanzierungslücken erforderliche Minimum beschränkt. Schließlich haben Element 3-5, Vishay, KLA und KETEK zugesagt, potenzielle projektbezogene Gewinne, die über die derzeitigen Erwartungen hinausgehen, mit Deutschland zu teilen.
Die Maßnahmen haben weitreichende positive Auswirkungen auf das europäische Halbleiter-Ökosystem und stärken die Versorgungssicherheit in Europa. Die Beihilfeempfänger werden mit Start-up-Unternehmen, KMU und Forschungseinrichtungen zusammenarbeiten. Element 3-5, Vishay, KLA und KETEK haben außerdem die Anerkennung ihrer Anlagen als sogenannte integrierte Produktionsstätten gemäß der Chip-Verordnung der EU beantragt und verpflichten sich daher, alle mit diesem Status verbundenen Auflagen zu erfüllen.
Auf dieser Grundlage hat die Kommission die Maßnahmen Deutschlands nach den EU-Beihilfevorschriften genehmigt.
Hintergrund
Im November 2024 veröffentlichte Deutschland eine Aufforderung zur Einreichung von Vorschlägen für innovative Investitionsprojekte in der europäischen Halbleiter-Wertschöpfungskette. Die heutigen Beschlüsse betreffen das achte und das neunte der Projekte, die im Rahmen dieser Aufforderung vorausgewählt wurden.
In der Mitteilung der Kommission »Ein Chip-Gesetz für Europa« erinnerte die Kommission daran, dass Investitionen in neue fortschrittliche Produktionsanlagen im Halbleiterbereich wichtig sind für die Versorgungssicherheit der EU und die Widerstandsfähigkeit der Lieferkette und signifikante positive Auswirkungen auf die Wirtschaft insgesamt haben. Die Kommission nannte eine Reihe von Faktoren, die für eine Einzelfallprüfung unmittelbar auf der Grundlage des Artikels 107 Absatz 3 Buchstabe c AEUV relevant sind.
Am 3. Juni 2026 nahm die Kommission einen neuen Vorschlag für das Chip-Gesetz 2.0 an, durch den neue Maßnahmen eingeführt werden, um die Chip-Industrie weiter zu fördern, strategische Abhängigkeiten zu verringern und die fortschrittliche Chip-Herstellung in der EU zu unterstützen. Das Chip-Gesetz 2.0 baut auf den Fortschritten auf, die mit dem ursprünglichen Chip-Gesetz erzielt wurden. Es ist darauf ausgerichtet, die derzeitigen Stärken Europas (einschl. Mainstream-Chips) auszubauen und Kapazitäten im Bereich modernster Halbleitertechnologien zu schaffen, damit die EU ihre Position als unumgänglicher Akteur in der Wertschöpfungskette behaupten, ihre Resilienz stärken und strategische Abhängigkeiten und Schwachstellen in der Lieferkette verringern kann.
Bei den heutigen Genehmigungen handelt es sich um den 15. bis 18. Beschluss der Kommission auf dieser Grundlage. Ihm Rahmen bisher genehmigter Maßnahmen wurden von verschiedenen Mitgliedstaaten Beihilfen in Höhe von insgesamt rund 14,2 Mrd. Euro gewährt, um die Herstellung verschiedener Halbleitertechnologien und -anwendungen zu fördern.