65-nm-Technik: Kooperation in der Gehäuseforschung
11. Juli 2006, 15:30 Uhr |
Iris Stroh, Markt&Technik
Chartered Semiconductor Manufacturing und A*STAR's Institute of Microelectronics (IME), Singapur, haben ein Forschungsabkommen unterzeichnet
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Gemeinsames Ziel ist es, eine Reihe von Fine-Pitch-Gehäusetechniken für Kupfermetallisierung und Low-k-Dielektrikum-Prozesse mit 65-nm-Strukturen und darunter zu entwickeln. Die Forschung basiert auf den 65-nm-Prozessen, die Chartered und seine Partner (IBM, Infineon Technologies und Samsung Electronics) gemeinsam entwickelt haben.
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