Gehäuse für Hochspannungs-MOSFETs
Kleine Kraftpakete
Das Gehäuse ist bekanntlich ein Schlüsselelement für die Leistungsfähigkeit eines MOSFETs. Ein neues Leadless-SMD-Gehäuse ist mit 8 mm x 8 mm Grundfläche etwa 60% kleiner als ein D2PAK – bei einer Höhe von gerade einmal 1 mm.