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Schaltverluste reduzieren

Leistungsmodul mit niedriger Streuinduktivität

Siliziumkarbid spielt in der Leistungselektronik mittlerweile eine wichtige Rolle. Dieser Artikel beschäftigt sich mit den Vorteilen eines neu entwickelten SiC-Leistungsmoduls und dessen Einsatz in einem Antriebsstrangwechselrichter.

Produktionsstart 2020

Rohm baut SiC-Fab in Japan

2020 soll das neue Fertigungsgebäude die Produktion aufnehmen. Damit reagiert Rohm auf den…

Rohm und GaN Systems

Strategische Partnerschaft

Rohm und GaN Systems entwickeln im Rahmen einer strategischen Partnerschaft gemeinsam…

Fünfte Saison der FIA Formel E

Deutschland mit Berlin wieder vertreten

Noch drei Rennen – in Zürich am 10.06.2018 sowie in New York am 14./15.07.2018 – und dann…

Kontaktlose Energieübertragung

Sicherheitstechniken im Qi-Standard

Um Akkus in Mobilgeräten ohne Kabel zu laden, hat sich im Bereich bis 15 W der…

Neues Produktionsgebäude geplant

Rohm steigert SiC-Produktionskapazität

Rohm plant in seinem Apollo-Werk im japanischen Chikugo ein neues Produktionsgebäude. Die…

Renesas Semiconductor

Zwei Halbleiter-Produktionsstandorte werden geschlossen

Innerhalb von zwei bis drei Jahren will Renesas die Halbleiterproduktion in Yamaguchi…

Formel E in Berlin Tempelhof

Wonach riecht die Berliner Luft?

Am 19. Mai 2018 fand das neunte Rennen von Saison 4 in der Formel E statt. Austragungsort…

Formel-E-Rennen in Tempelhof

Impressionen vom Berlin E-Prix

Volksfeststimmung und ein deutscher Heimsieg: Der ehemalige Flughafen Tempelhof bot am…

Programm E-Mobility-Forum auf PCIM 2018

Ladetechnik im Fokus

Auf der diesjährigen PCIM findet zum zweiten Mal in Folge das E-Mobility-Forum der…