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GLOBALFOUNDRIES Europe Ltd.

© Intel / IEDM 2017

IEDM 2017

Intel und Globalfoundries mit dritter FinFET-Generation

Im Ringen um die Führungsposition treiben Intel und Globalfoundries Moore’s Law in den Bereich der 10- und 7-nm-Knoten voran. Trotz der unterschiedlichen Bezeichnung sind beide Technologien vergleichbar, besitzen aber ihre individuellen Vorteile.

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© TrendForce, 2017/11

TSMC dominiert

Die Top-Ten-Foundries wachsen weiter

Die Foundry-Industrie wächst zum fünften Mal in Folge über 5 Prozent pro Jahr.

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© Globalfoundries

Globalfoundries

Automotive im Visier

Globalfoundries will sein Automotive-Geschäft kräftig ausbauen und hat deshalb mit AutoPro…

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Stabübergabe zum Jahreswechsel

Globalfoundries Dresden bekommt neuen Chef

Der Dresdner Globalfoundries Standort erhält im kommenden Jahr eine neue Führung. Ab dem…

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© Globalfoundries

Globalfoundries

Die richtige Technologie für die richtige Applikation

Globalfoundries (GF) setzt auf FinFETs und FD-SOI. Markt&Technik sprach mit Dr. Gary…

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© Nanusens

Nanusens löst MEMS-Problem

Beschleunigungs-Sensoren ohne Haftreibung

Die Haftreibung kann nach einem heftigen Stoß MEMS-Beschleunigungs-Sensoren zum Verhängnis…

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© Globalfoundries

Globalfoundries

Erste Designs auf der 7-nm-FinFET-Ebene

40 Prozent höhere Leistungsfähigkeit: Die Anwender können ab sofort Chips für den…

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© Connie Zhou

Der Nachfolger der FinFET-Technologie

Nanosheet-Transistoren für 5-nm-Chips

Noch kleinere und noch leistungsfähigere Chips als heute? Mit der Nanosheet-Technologie…

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© IBM

Die 5-nm-IC-Generation

IBM: Nanosheet-Transistoren statt FinFETs

Nanosheet-Transistoren lösen FinFETs ab: 30 Milliarden 5-nm-Transistoren passen auf einen…

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© Racyics

Racyics/Globalfoundries

22-nm-FDX für den »kleinen Mann«

Racyics stellt mit makeChip eine Design-Plattform vor, die auf der 22FDX-Technologie von…

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